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型号 SI1965DH-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
SI1965DH-T1-GE3 PDF
代理商 SI1965DH-T1-GE3
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 2 个 P 沟道（双）
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 1.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 390 毫欧 @ 1A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 4.2nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds 120pF @ 6V
功率 - 最大 1.25W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装 SC-70-6
包装 标准包装
其它名称 SI1965DH-T1-GE3DKR
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